I processi dei transistor a giunzione bipolare

I processi dei transistor a giunzione bipolare
I transistor a giunzione bipolare, analizzandoli nel profondo dell'elettronica, con i suoi processi di funzionamento.
Condividi l'Articolo
Facebook
Facebook
Google+
Google+
https://scienzamagia.eu/i-processi-dei-transistor-a-giunzione-bipolare/

Il transistor a giunzione bipolare è un dispositivo composto da due giunzioni, ed agisce come amplificatore di corrente; analizziamo anche la loro complessa tecnologia necessaria alla loro realizzazione.


Il transistor agisce come un amplificatore di corrente: quindi vale a dire che la corrente che si introduce attraverso il terminale di ingresso viene amplificata ed estratta attraverso quello di uscita. Il transistor ha i materiali semiconduttori disposti nel modo silicio-n/silicio-p/silicio-n; ecco da dove proviene il nome n-p-n; un’altra disposizione potrebbe essere il transistor p-n-p.. le tre zone di un transistor ricevono rispettivamente il nome di emettitore, base e collettore.

IL PROCESSO BIPOLARE DI BASE

Il primo passo consiste nella formazione dello strato scavato. Lo strato scavato è una zona di silicio drogato tipo-n, con all’interno del p-Si. La presenza di tale strato ottimizza le caratteristiche elettriche del futuro transistor. Nel successivo passaggio si procede all’isolamento della zona in cui si fabbricherà il dispositivo; tale processo di isolamento fra dispositivi, rappresenta un esempio dei molti che è possibile utilizzare; si crea dalla superficie della epitassia di n-Si, una zona di p-Si intorno allo strato scavato e che penetra all’interno dello strato epitassiale fino a raggiungere il p-Si del sostrato iniziale. Sullo strato epitassiale di n-Si si realizza un nuovo procedimento di drogaggio per formare la zona di p-Si che servirà come terminale di base del transistor.

Condividi l'Articolo
Facebook
Facebook
Google+
Google+
https://scienzamagia.eu/i-processi-dei-transistor-a-giunzione-bipolare/
Inviami gli Articoli in Email:

Be the first to comment

Leave a Reply

L'indirizzo email non sarà pubblicato.


*